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NiO、ZnO和(Zn,Ga)(N,O)一直是科研界广受关注的化合物半导体材料,利用其特点人们开发了多种光电磁应用。而异价掺杂是一种有效的调控和改善此类半导体材料中的晶体微结构,以及电学性质(载流子密度,迁移率),光学性质(光吸收,发光),磁性质等的重要手段。在目前掺杂半导体的工艺中往往采取磁控溅射、固相掺杂等物理方法,但是这些物理方法普遍存在掺杂元素分布不均、工艺复杂,成本高等的问题。化学掺杂使基于水溶液体系的共沉淀方法进行掺杂,具有条件温和,掺杂均匀等特点。LDH作为双金属复合层状氢氧化物,具有