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SiC陶瓷具备耐高温、抗腐蚀性高以及耐氧化等特点,此外还具有良好的低中子活性、辐照稳定性等优点,是未来核聚变反应堆中的关键材料。但SiC陶瓷的高脆性和低延展性,使其难以变形及切削加工,因此只有通过对小块SiC陶瓷的连接才能获得形状复杂的零部件。Ti3SiC2具有熔点高,导热性好等优点,即同时具有陶瓷材料和金属材料的有关特性。因此将Ti3SiC2作为中间层材料用以连接SiC陶瓷,不但可以满足SiC陶瓷的高温应用,还可以充分发挥二者各自的优势,对制备性能优良的耐高温、抗氧化结构件具有重要的意义。因此本文选用高频感应加热引燃Ti-Si-C三元系的自蔓延反应高温合成Ti3SiC2并进行SiC陶瓷的连接。该方法具有能耗小,生产率高,成本低等优点,还可以实现无压/常压下材料的制备。同时本文自行设计并研发了一套配合实验使用的可通保护气并配备加压系统的感应加热炉体。本文首先考察了感应加热引燃Ti-Si-C体系的自蔓延高温合成反应中感应电流、冷压成型压力、起始粉末种类、起始粉末配比、颗粒度和助燃剂A]对烧结产物种类、产物中Ti3SiC2相含量以及显微组织的影响规律。研究结果表明,在3Ti-Si-2C的反应体系下,感应电流的大小以及助燃剂Al的添加对Ti3SiC2相的生成及其在反应产物中的相对含量具有较大影响,而球磨后的颗粒度减小对反应生成Ti3SiC2相具有抑制作用,Si的含量和冷压成型压力对Ti-Si-C的合成反应生成Ti3SiC2的含量影响微小。其次用感应电流50A加热引燃3Ti-Si-2C系自蔓延高温合成反应进行SiC陶瓷的连接。研究了保温、不同的连接压力以及助燃剂Al对接头连接可靠性的影响,对接头在常温下进行剪切强度测试。结果表明,连接压力1MPa,分别在无保温,30A保温30min时的接头剪切强度分别为5.87MPa和32.93MPa,说明保温能够较明显的提高SiC陶瓷接头的力学性能。在30A保温30min时,1MPa、3MPa、6MPa的连接压力的接头剪切强度分别为32.93MPa、42.39MPa和42.81MPa,说明连接压力的提高,有提高接头剪切强度的作用,但是当连接压力增大到一定程度后,连接压力的增大对提高接头剪切强度的作用就不明显了。对于3Ti-Si-2C-0.1A1体系,1MPa连接压力,30A保温30min,所得接头的剪切强度最高,达到了 66.79MPa,通过分析表明助燃剂A1的添加会极大增加产物中Ti3SiC2相的含量,因此对SiC陶瓷接头性能提高的作用明显。