半导体纳米晶的化学制备及其光学性能研究

来源 :武汉理工大学 | 被引量 : 1次 | 上传用户:suyi0911
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半导体纳米结构材料因其独特的物理化学性能和在光电子器件、电化学、纳米机械、生物器件等领域的潜在应用,已经成为目前众多学科领域关注的热点。本论文采用化学法合成了纯相的Se纳米晶、CdSe1-χSχ(0<x<1)纳米晶、CuSe及其变体CuSe纳米晶。主要内容如下:1.采用一种简单安全的化学法(液相法)成功地合成了Se纳米晶。通过XRD和HRTEM可以看出得到的产物Se纳米晶为六方结构,颗粒大小在2~6nm之间,有良好的分散性。未经离心的Se纳米晶溶液为红色,经过紫外可见分光光度计对其进行光学测试,测得它的吸收峰的位置在540nm到630nm。2.采用一种简单安全的化学法(液相法)成功地合成了CdSe1-χSχ(0<x<1)纳米晶。通过XRD和HRTEM可以知道,合成的CdSe1-χSχ(0<x<1)纳米晶具有立方结构,颗粒大小在3~6nm之间,有较好的分散性。随着x的不断减小其紫外可见吸收图谱吸收峰从335nm到543nm逐渐移动,而在紫外荧光光谱仪测试下,则可以发现其发射峰随着x值的减少从464nm红移到543nm。3.采用一种简单可行的化学法(液相法)合成了CuSe纳米晶,并通过对其温度、酸碱度和滴加顺序的改变,得到其两个变体Cu2-χSe、Cu2Se纳米晶。通过XRD和HRTEM证实Cuse、Cu2-χSe、Cu2Se纳米晶分别为六方、立方、立方结构,颗粒大小均在2~5nm。用紫外可见分光光度计对其胶体溶液进行光学性能的测试,Cuse、Cu2-χSe、Cu2Se纳米晶的吸收峰分别为376nm、496nm、781nm。
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