水稻籽粒中镉（Cd）的过量积累已成为人们普遍关注的问题,特别是在中国的西南地区。目前很多研究指出大气沉降是水稻中重金属积累的主要来源之一,因此,探究叶片吸收重金属的迁移累积特征对保障水稻的安全生产有重大意义。本研究以丰两优4号（一季稻）为研究对象,通过室内外暴露盆栽实验、叶片喷施盆栽实验、溶液浸泡模拟实验,通过稳定同位素比值分析法探究叶片吸收大气沉降对水稻籽粒镉积累的影响,分析水稻叶片对镉的吸收转运并核算其贡献率。主要研究结论如下:（1）室内外暴露的水稻盆栽试验表明,随着生育期增长,水稻体内积累的镉不断增加,并且土壤镉的浓度越高水稻体内镉含量也升高。成熟期水稻地上部镉含量为T3（叶片根系同时室外暴露处理）＞T2（叶片室外暴露处理）＞T1（室内暴露处理）;根系镉含量T3＞T2;地上部和根部镉的积累量都是T3＞T1和T2。水稻籽粒中镉的含量和积累量在XT和ZZ土壤中都有同样的趋势,都是T3＞T2（p＜0.05）。镉稳定同位素比值结果显示,大气沉降对水稻籽粒镉的贡献在XT和ZZ土壤中分别为63.55%和18.01%,说明大气沉降对水稻籽粒镉积累有影响。（2）叶片喷施不同浓度镉溶液的试验结果表明,叶片和根系都具有吸附镉的能力,CK（0μmol/L）、T1（3μmol/L）、T2（6μmol/L）和T3（12μmol/L）水稻地上部叶片的镉吸附量分别为3.48 mg/kg、5.03 mg/kg、4.74 mg/kg和7.28 mg/kg;根部镉吸附量为1.22 mg/kg、3.58 mg/kg、3.80 mg/kg和5.99 mg/kg,水稻叶片吸附镉的能力较强。叶片暴露的浓度越高,水稻地上部的镉的含量和积累量越多,且地上部明显高于根部。T1处理,叶片吸收对叶片、谷壳和糙米镉的贡献率分别为13.08%、23.08%和13.16%,相对于T2处理的贡献差异不大（15.89%、32.31%和13.16%）,T3处理叶片吸收贡献明显提高,为40.19%、69.23%和26.32%。说明叶片喷施的镉溶液浓度越高,叶片对水稻富集镉的影响越大,并且当叶片污染的浓度超过根系污染的浓度时,水稻叶片吸收镉的贡献率显著提高。（3）镉浸泡模拟试验结果表明,水稻镉胁迫为低浓度（12μmol/L）时,镉的转运速率先上升后下降,出现两个峰值;水稻镉胁迫为高浓度时,镉的转运速率不断增加。叶片单独暴露处理根部镉含量基本无明显变化;根系单独暴露不仅会在水稻根系积累镉,地上部也会有镉的积累,特别是在高镉浓度胁迫100μmol/L时,根部吸收的镉首先向地上部转运再在根部积累;根系叶片双重暴露下根系吸收大于叶片吸收,以根系吸收为主。根系吸收途径的水稻镉的富集系数（EF）和迁移系数（TF）高于叶片吸收途径。低镉浓度胁迫时根部暴露比叶片暴露水稻更容易吸收重金属镉,达到一定浓度后,两者的富集能力差异不大。说明根系吸收的镉更容易迁移转运到水稻的其他部位,而叶片吸收的转运能力较低,被吸收的重金属镉大多固定在地上部。