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过渡金属二硫化物由于其独特的光学和电学性质在光电能量存储和生物领域引起了人们的极大关注。要实现其最佳性能,选择合适的制备方法至关重要。目前制备层状过渡金属二硫化物的主要方法有:微机械剥离法、化学剥离法(主要包含液相剥离和锂离子插层剥离法)、化学气相沉积法、水热合成法和范德华力外延生长法等。此外,超临界二氧化碳(SC CO_2)由于其出色的性能,如高的分散系数、显著的表面润湿性能和低的界面张力可以用于层状材料的剥离。本文以典型的半导体二硫化钨(WS_2)为研究对象,在SC CO_2辅助剥离二硫化钨的基