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本论文的主要工作内容包括以下五个部分: 第一部分:液晶插层剂的合成及表征 以对羟基联苯腈为起始原料,选择合适的路线合成了两种液晶插层剂:4-(6—胺基己氧基)-4’-氰基联苯(ZB)和N,N-二乙基—6-(4′-氰基联苯氧基)己胺(ZS)。通过红外(IR)、核磁共振(~1HNMR)、热分析(DSC)、元素分析(EA)对目标产物及其中间体进行了表征。 第二部分:蒙脱土的有机化处理和有机蒙脱土的制备 在对原土进一步纯化的基础上,通过对比四种不同插层剂的处理效果,我们确定了4-(6-胺基己氧基)-4’-氰基联苯和N,N-二乙基—6-(4′-氰基联苯氧基)己胺对蒙脱土插层的有效性。通过IR、XRD(X—射线衍射)、TG(热重)、TEM(电镜)对有机土ZB-OMMT和ZS-OMMT进行了结构和性能表征。 第三部分:选用ZB-OMMT有机土,与本实验室合成的三种单体液晶进行复合,制备了单体液晶/有机蒙脱土复合物。通过IR、~1HNMR、DSCR寸单体液晶进行了表征,同时采用IR、DSC对三种单体液晶/有机蒙脱土进行了表征,对具有液晶性的复合物我们用POM(偏光显微镜)观察了相应的织构图。 第四部分:首先以过硫酸钾、亚硫酸氢钠为引发剂,水为溶剂的体系中合成了聚丙烯酸(PAA)。通过IR对聚丙烯酸进行了结构表征,同时用粘度法测得其粘均分子量和特限粘数[η]。 其次在超分子液晶理论的指导下,选择合适的方法制备了由ZB、ZS和PAA复合而得的两种氢键诱导型超分子液晶。通过IR、DSC、POM、XRD对两种超分子液晶的结构和液晶态进行了表征。 最后将两种氢键诱导型高分子液晶(A、B)分别与相应的两种有机土ZB-OMMT和ZS-OMMT复合,制备了超分子液晶/有机蒙脱土复合物。并运用IR、DSC、POM、XRD对复合物的结构和液晶性进行了表征。通过复合前后的性质比较我们发现蒙脱土的加入对不同类型的超分子液晶产生的影响是不同的。 第五部分:安徽省“十五”科技攻关项目“显示用单体液晶及STN液晶材料”的单体液晶的纯化、检测和混晶的调配。