本论文主要介绍的是基于GaAs HEMT的X波段的低噪声放大器的电路设计、电路仿真、版图设计以及电路的测试、调试。文中深入研究了基于GaAs HEMT的低噪声放大器的特性和CAD设计优化技术,设计了匹配电路,偏置电路,拓扑结构,基本上实现了低噪声、高增益的要求。本文首先阐述了基于GaAs HEMT低噪声放大器的一些相关理论,如:二端口网络、传输线的分类、微带线的特点以及噪声等的相关理论;分析了微波放大器常用的几种电路形式,针对本课题研究的宽带低噪声放大器选择了平衡型结构的电路形式;通过分析二端口网络的低噪声和宽带匹配理论,得出两级匹配网络的低噪声和高增益匹配设计形式。该低噪声放大器工作频率在8―12GHz,采用两级放大的拓扑结构,设计软件采用ADS系统,对输入匹配、级间匹配和输出匹配设计了针对性地匹配网络,每一级放大根据设计的结果,针对噪声系数、增益和输入输出驻波比一同进行优化,待每一级设计达到指标要求,再进行两级电路的级联优化。随后,根据HEMT LNA的特性,设计了双电源直流偏置电路,得到两级电路版图的Momentum二维电磁仿真结果,并且该结果满足设计指标的要求,然后利用protel 99软件制作出第一级单管电路的版图。最后利用实验室现有的设备,对板子进行分析测试以及调试。考虑到电路板子的散热情况,器件和元器件的焊接情况以及损耗问题,调试好的板子基本实现单管低噪声放大器在工作频带内具有增益8dB左右,并且有较好的增益平坦度(带内1dB左右)。