十二五国家半导体照明计划,极大的推进了金属有机物化学气相沉积设备(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)的引进以及本土化的开发。MOCVD是基于GaN基LED外延材料与芯片生长的一种工艺制造方法。其中工艺温度的精确控制决定了芯片生长的性能重要因素,由于工艺生长环境复杂多变,且需非接触LED测温,这导致MOCVD温控成为业界一直尚未完全攻克的难题。目前工艺测温技术基本被国外掌握,国内此领域产品处于空白状态,国外相关产品价格奇高且指标未能符合全自动温控要求。业界测温仪都是根据设备定制的,这也限制MOCVD产业自主研发,目前业界MOCVD工艺温度基本依赖于工艺工程师经验,极大阻碍了MOCVD的推进,为了克服此工艺测温的难题,此课题特此立项。本论文从黑体辐射理论出发,目标是实现LED生长时的实时在线测温并作为控温依据。论文主要工作如下：(1)在分析黑体辐射理论的基础上,采集并分析工艺数据,课题的日标以及所面临的难题；结合实际控温需求提出在线控温的解决方案,双通道单双波长结合控温。同时辅助设计系统的光路和机械结构部分。(2)根据黑体理论推导出单双波长测温算法,提出了单波长测温的修正算法,避免安装方式(高度,以及中心偏移)对测温的影响,为系统准确测温提供保障。(3)硬件设计实现了双通道兼容单双波长测温的设计方案,简化系统设计。(4)实际考察了MOCVD的结构以及生长过程中的一些参数,定义软件时序以及通信协议,实现准确实时测温。(5)做出试验样机系统,并提出单点温度传递算法,实现了从标准源到MOCVD腔体的温度传递。设计试验,使用概率统计方法评估了系统的各项性能指标。系统经过在线工艺生长温度监控测试,满足公司MOCVD实时测温需求,实现了测温目标：测温范围500-1200℃,分辨率0.1℃；安装此监控系统的MOCVD生长出了符合行业标准的蓝光GaN基的LED,这一实现极大促进了MOCVD国产化的进程。