本论文的主要工作如下：1.详细介绍了半导体晶片键合技术的起源和发展，归纳了晶片直接键合技术的国内外发展现状，并对半导体晶片键合技术的分类和应用进行了系统的总结。2.界面问题是晶片键合技术的核心，本文对几个热点界面问题进行了详细的介绍，即键合机制、界面形貌和键合样品的电特性。3.半导体异质结带阶是设计微电子器件的重要参数。在晶格不匹配的异质结中，往往存在应变。异质结带阶具有随应变状态变化而变化的特性，可以利用这一特性实现对异质结的带阶的设计和剪裁。本文以平均键能法为基础对GaAs/InP异质结的能带不连续值进行了详细的理论推算，得出了△Ev=0.154eV的结论，并利用Langer法则验证了其合理性。4.为了能够通过非破坏性方式检测样品的键合质量，确定未键合区域所在的位置，在陈斌师兄、马如兵同学和我的努力之下，成功搭建了一个红外测试平台，并取得了预期的测试效果。5.由于预键合是晶片键合流程中的一个关键步骤，而亲水性又在很大程度上影响着预键合质量，所以我和同组同学对经各种处理液处理后的晶片表面的亲水性进行了系统的研究。6.对晶片键合技术涉及的键合强度的测试、应力检测以及XPS谱测试在界面组分及界面组分随深度分布方面的应用进行了详细的归纳和介绍。