近年来,随着电子科学技术的不断发展,各类电子产品日益普及,市场需求不断扩大。透明导电薄膜作为电子器件中影响重大的一部分而备受关注。其中透明导电氧化物薄膜—掺锡氧化铟（ITO）因良好的光电性能已经实现商业化,但是In元素的稀缺性以及制备工艺的复杂性使得ITO薄膜成本较高。因此寻找可替代的透明导电薄膜并发展新的制备技术成为研究重点。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,Al元素来源丰富,且掺铝氧化锌（AZO）薄膜具有良好的热稳定性及光电性能。传统溶液法制备的氧化物薄膜存在晶粒随机取向、不致密等缺点,因此通过改善溶液的性质来改善薄膜的显微结构,从而提高薄膜性能,是一个关键的问题。喷墨打印法作为印制电子的一种重要实现方式,有效的解决了以上难题,作为此项技术核心部分的功能型墨水,无颗粒型墨水相比颗粒型墨水而言不含有任何固体颗粒,具有稳定性好、合成步骤简单、烧结温度低、不易堵塞喷头等优势。具体研究内容如下:（1）本文采用金属离子与有机胺络合方式配制了无颗粒型AZO墨水,由铝前驱体、锌前驱体、络合剂、溶剂和一些助剂组成。最终得到的无颗粒型AZO墨水性能稳定且喷墨打印性能良好,最佳配方为:Zn（CH3C0O）2·H2O为Zn源,Al（NO3）3·9H2O为Al源,1,2-丙二胺作为络合剂,乙醇作为溶剂,锌胺摩尔比为1:4,添加乙基纤维素（4 wt.%）作为微量助剂。（2）研究了墨水浓度、铝掺杂量以及热处理工艺对薄膜显微组织与光电性能的影响。墨水浓度为0.2 M,未掺杂铝元素的ZnO薄膜,在氢气气氛500℃下退火后的电阻率为56 Ω·cm,AZO-1.5薄膜的电阻率最低,为0.03 Ω·cm,透过率达到80%（波长500 nm处）随后薄膜的电阻率随着铝掺杂量的提高又增大,AZO-2薄膜及AZO-3薄膜的电阻率分别为 2.34 Ω·cm、7.17 Ω·cm。（3）采用水热法与喷墨打印技术结合,在处理后的柔性衬底及玻璃衬底上喷墨打印AZO薄膜作为种子层,得到AZO纳米棒阵列薄膜。生长液浓度为25 mM时得到片状形貌;生长液浓度为40 mM,以一层薄膜为晶种层,水热反应2 h得到的纳米棒直径约为80 nm,长度达到850 nm。