在现代电力电子技术中，智能功率驱动集成电路（SPIC）占有举足轻重的地位，它对系统的可靠性、成本、体积和重量都有非常重要的影响，在汽车电子、工业工程、通讯设备等领域中扮演着重要的角色。本文针对汽车电子应用研制了一款三相功率MOS栅驱动芯片，它的设计指标对该应用领域非常适合：最大输出驱动电流达到了1A、最高偏置电压达到了600V。在芯片研制过程中，作者主要完成了死区补偿电路、检测和保护电路和接口电路的研制。对这些电路进行了重要分析，使芯片能在特殊环境下正常工作，保证了系统的稳定性。整合了现有成熟技术，使设计生产成本更加低廉，针对高压LDMOS进行了特别设计，在功耗优化上面做了重点设计，加入了限流电阻进一步降低功耗。在电路设计完整的基础上进行了版图设计，使用代工厂比较成熟的BCD工艺进行芯片的设计，采用RESURF技术进行了LDMOS的设计，在高压器件中的性能表现优异。针对该BCD工艺设计了薄外延层且采用N埋层，通过控制N埋层的长度、掺杂浓度来提高器件的耐压值。通过软件的仿真，在保证LDMOS器件尽可能满足导通电阻的要求下，让外延层更加的薄。这样工艺实现的成本将降低很多。在版图设计中采用先进的隔离技术，达到SPIC芯片内部高压电路和低压电路的分离，保证芯片的可靠性、稳定性。