在常温下，纳米TiO2半导体的光催化氧化技术利用光能可将绝大多数有机污染物降解，并最终完全矿化为CO2、H2O等一些无机小分子物质，产物清洁，被认为是一种极具前途的有机污染物深度净化新技术。但TiO2的禁带宽度较大（锐钛矿型，3.2eV），只能利用太阳光中的紫外线部分（仅占太阳光能的3～4％）。这一缺点使TiO2作为光催化剂在实际应用中难以大规模推广。　　采用碳、氮、硫非金属元素对TiO2进行共掺杂改性，是拓展TiO2光谱响应范围的有效途径。本文以全硫碳酸铵为掺杂剂，采用湿法由硫酸钛出发制备碳氮硫共掺杂TiO2。分别考察了焙烧温度、掺杂量以及胶溶时间等因素对催化剂光催化性能的影响，并采用XRD、UV-Vis/DRS、FT-IR、XPS、TG-DTA和BET等表征手段，研究掺杂催化剂的结构和光电性质，探讨了碳、氮、硫共掺杂对TiO2光催化机理的影响。　　研究结果表明：⑴采用湿法制备碳氮硫共掺杂TiO2时，最佳工艺条件：掺杂量α=1.6，焙烧温度500℃，胶溶时间30min，晶化时间90min，微波功率800W，微波温度90℃。⑵通过比较湿法制备的碳氮硫共掺杂TiO2光催化剂与同方法制备的未掺杂TiO2催化剂的光催化性能及光吸收性质，发现湿法制得的碳氮硫共掺杂TiO2晶粒小、比表面积大、可见光催化性能较好。氙灯照射70min后，浓度为20mg·L-1甲基橙的降解率可达99.64%，且光催化降解满足准一级动力学模型。⑶湿法制备的碳氮硫共掺杂TiO2光催化剂中，掺杂元素的化学形态分别为：①C4+取代Ti4+进入晶格进行掺杂；②N元素以两种掺杂态存在：一种是以N3-替位取代O2-进入TiO2晶格形成Ti-N-Ti联接的掺杂，另一种是通过化学吸附NH3或NH4+进入晶格原子间隙产生掺杂；③S元素掺杂以S6+取代Ti4+进入TiO2晶格，使晶格局部畸变，导致TiO2的带隙变窄；掺杂进入TiO2晶格中的S4+会轻微改变Ti的化学价态，破坏了原来体系的电荷平衡。为了维持晶格中的电荷平衡，少量钛离子会释放多余的电子变为更高的价态，其吸收边移动了约20nm，S原子已经掺杂进TiO2晶格中，并部分形成了化学键，从而改变了纳米TiO2的光响应范围。