有机电致发光器件在照明领域和显示领域有着很大的应用潜力,引起了国内外学者的广泛关注与持续研究,基于OLED器件的产品逐步进入到人们的生活中,但是其效率低和成本高等问题仍旧限制了OLED器件的进一步发展。对于OLED器件工作机制的研究可以为器件的设计及性能的进一步提高提供基础和指导,因此,本文主要通过OLED器件的瞬态变温电致发光等变温特性的分析,研究在不同温度下,载流子在器件中的注入、传输以及复合等,从而探究OLED的发光机制。首先,本文采用OMBD系统制备了基于不同BCP结构的OLED器件,通过对器件在不同温度下的稳压特性和瞬态电致发光响应特性的分析,探究了载流子在器件中的注入、传输和复合发光机制。器件的延迟特性具有温差补偿效应,影响延迟时间的因素包括少子迁移率和器件结构中的电子抑制陷阱,这两个因素产生的补偿温差分别为25 K和20 K。在高温下,电子抑制陷阱对电子的限制作用减弱。通过计算器件中有效激子数对温度的导数(d N/d T),发现器件的拐点温度不尽相同,原因是由于器件中电子的注入速率与传输速率不平衡导致的。通过分析不同器件拐点温度的差值,发现对应器件的拐点温差与补偿温差一致。其次,本文通过制备不同结构的OLED器件,研究了不同温度下空穴注入势垒、电子迁移率以及激子寿命对器件稳流特性和瞬态电流响应特性的影响。低温下载流子注入势垒对器件性能的影响较大;温度较高时,激子寿命对器件性能的影响较大。当温度大于200 K时,由于注入势垒的降低,器件中载流子的注入速率提高了1.5倍;温度大于250 K后,磷光发光器件的有效激子数是荧光器件的2.7倍,原因是磷光器件中的激子淬灭率与荧光器件中的空穴湮灭率达到平衡。器件的临界占空比随着温度的升高而减小,分析认为,当温度升高后,注入速率增大,对器件施加相同的脉冲电压时间,器件中堆积的载流子更多,要完全释放这些载流子,则需要更长的放电时间,故其临界占空比随温度升高而降低。