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透明导电氧化物（TCO）薄膜既在可见光波长范围内有很高的光学透过率,又具有相近于金属薄膜的高导电性能,被广泛应用于各种电子设备。目前,已有多种类型的TCO在商用硅薄膜太阳电池中得到了应用,例如:氧化铟锡（ITO）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）等。氧化铟锡薄膜作为一种宽带隙（带隙范围为:3.5-4.3 eV）、高简并的半导体,相比其它类型的导电薄膜具有更好的导电性和更高的可见光透射率。然而,在实际应用中氧化铟锡薄膜会存在以下问题:（1）氧化铟锡主要成分是铟,为稀有金属,随着需求的增加,其市场价格急剧上升;（2）部分器件要求氧化铟锡薄膜具有很低的表面电阻,在相同制作工艺下需要增加薄膜厚度来降低ITO膜表面电阻,当薄膜厚度超过500 nm时,光学透过率急剧下降,近红外波段的影响尤为明显;（3）氧化铟锡薄膜机械弹性较差,不易弯曲,在外力作用下容易开裂甚至脱离基底,不适合作为柔性器件的透明电极。针对上述问题,本论文进行了以下三个方面的研究:（1）利用超声喷涂镀膜技术,在氟掺杂氧化锡（FTO）导电衬底上制备一层网格状银纳米线（Ag NW）薄膜,探究不同覆盖率的Ag NW网格薄膜对FTO薄膜性能的影响。测试结果表明,Ag NW层的加入不显著影响FTO薄膜的光学透过率,但表面电阻有明显的降低,最低值达到7.28Ω/sq,降低率为8.2%。进行薄膜机理分析证明Ag NW层的加入会增强载流子输运特性,优化后的非晶硅太阳电池参数为:(1oc=889 mV,sc=14.52 mA/cm2,=63.3%,η(ff)=7.9%,其中短路电流提升11%,转换效率提升20%。（2）结合射频磁控溅射和超声波喷涂法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底上制备了柔性透明导电ITO/Ag NW双层薄膜。测试结果显示,Ag NW层可以保护ITO薄膜弯曲后不容易产生裂纹,ITO/Ag NW双层薄膜的机械柔性优于单层ITO薄膜,更加适合作为柔性器件的基底。利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在ITO/Ag NW前电极上制备非晶硅太阳电池的功能层,同时将非晶硅吸收层优化减薄至100 nm,制备出光电转换效率为5.32%的超薄半透明柔性非晶硅太阳电池。（3）结合磁控溅射和超声波喷涂法制备出光学性能和电学性能优良的ITO/Ag NW/ITO三层导电膜。