作为微型传感器重要部件的敏感元件的设计与制作依赖于新的理论以及新的材料,敏感元件性能的好坏直接影响微型传感器的性能。本文以双势垒量子阱结构为模型,计算分析了应变对其等效电容的影响,并提出介观压容效应的概念,为以后微型传感器敏感元件的设计提供参考。在超晶格薄膜组成的双势垒量子阱二极管器件(DBRT)的外部施加单轴压力会使得器件内部的薄膜发生形变——薄膜的几何尺寸会改变,这样就会改变器件的隧穿电流的大小,同时器件的各项电学参数将会发生改变,本文将研究DBRT器件的等效电容在压力作用下变化的现象。文章首先从超晶格的共振隧穿效应出发,分别推导了超晶格的隧穿电流计算方法和超晶格费米能级的计算方法。对DBRT模型所用材料的一些参数进行了计算。其次,为了降低计算的复杂程度,对DBRT结构模型进行了电路等效化,通过计算得到了该模型的等效电容表达式,等效电容的大小与隧穿电流有着密切的关系。最后,依据材料力学的相关知识,分别计算了应变与DBRT模型各参数之间的关系。分析计算了应变和隧穿电流之间的关系以及应变与等效电容的关系。通过计算发现,当DBRT模型外部偏置电压不变的时候,应变可以改变其等效电容的大小,也就是说一个力信号可以转变为一个电容信号。