BST热释电薄膜漏电流特性及软击穿特性研究

被引量 : 4次 | 上传用户：zhaojiagu

【摘要】

：

Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)薄膜具有介电系数高、介电损耗低、居里温度可调以及热释电性高等优点,在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)、微波调谐器件、非制冷红外探测等领域有广阔的应用前景。在器件中,BST薄膜工作在外加直流电压下,此时薄膜中存在的漏电流随时间的增加而增加,直至发生介质击穿的软击穿现象,严重影响了薄膜器件的工作稳定性和使用寿命。本论文采用射频溅射法在Pt/Ti/Si

【作者】

：

姚金城

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

BST薄膜漏电流软击穿

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