本文分别以玻璃片和AAO模板为基底,使用BP-212型紫外正性光刻胶,进行光刻工艺条件的研究,找到了在本实验条件下的稳定光刻工艺。最佳的光刻工艺条件为:匀胶量为0.2ml,匀胶低速转速为600r/min,时间为5S,高速转速为2500r/min,时间为30s。前烘时间为15min,曝光时间为50s,显影时间为20s,后烘时间15min。采用紫外线光刻技术在阳极氧化铝模板(AAO)上生成了预设图案,用物理浸润的方法在此图案化的模板上生长聚苯乙烯一维纳米结构。使用BP-212型紫外正型光刻胶来图案化AAO模板,最后用磷铬酸或氢氧化钠溶液分别溶解模板1h和2h,得到图案化的聚苯乙烯纳米线阵列。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射能谱(EDS)对图案的模板和聚苯乙烯一维纳米结构进行分析。测试结果表明,通过此方法在模板上制备的图案是由直径为5μm的圆形组成的,圆形图案之间的距离也是5μm。制备出的图案化的聚苯乙烯纳米线阵列,完全复制了掩模上的图案。采用电化学沉积法在孔径为200 nm的阳极氧化铝膜AAO模板中成功制备了Cu金属纳米线阵列、结合紫外线光刻法组装了图案化铜纳米线阵列。电化学沉积法可通过控制沉积时间来获得具有不同长径比的铜纳米线阵列;图案化的纳米线排列规整,高度有序;且纳米线组成的形状与掩模相同。