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本论文设计了用于诊断低气压CHF3/Ar介质阻挡放电等离子体中CF2基团粒子数密度的光谱测量装置，并分别利用吸收光谱法和发射光谱内标法对CHF3/Ar介质阻挡放电等离子体中CF2基团的粒子数密度进行了测量，考察了放电功率、气压、电极间距以及CHF3浓度对CF2基团粒子数密度的影响。同时也对在实验条件范围内，发射光谱内标法的适用性和可信性进行了讨论。主要得到以下结论: 在气压260-380Pa范围内，CF2的粒子数密度在CHF3浓度分别为20％/50％/65％时，都随气压的升高而增大;在放电功率为5-18W范围内，CF2粒子数密度会随放电功率的增大而增大;在CHF3浓度为10％～75％范围内，CF2粒子数密度随CHF3浓度的增大而增大;在电极间距为4～8mm范围内，吸收光谱法测得CF2粒子数密度随电极间距的增大而降低，而由发射光谱内标法测得的CF2粒子数密度随电极间距的增大而增大。 在实验考查的条件范围内，在电极间距不变的情况下，利用吸收光谱法和发射光谱内标法测得的CF2基团的粒子数密度随气压、放电功率以及CHF3浓度的变化规律一致，是因为在实验考察的条件范围内，电子能量分布函数基本保持不变，发射光谱内标法具有适用性;而用两种方法考查的CF2基团的粒子数密度随电极间距的变化规律不一致，表明发射光谱内标法的应用具有一定的局限性。