随着柔性显示、太阳能电池及触摸屏等柔性电子器件的快速发展,柔性、廉价、性能佳等优势特性的新型透明电极得到越来越多学者、企业的重视。目前的透明电极以磁控溅射工艺制作的ITO薄膜为主,但ITO的原材料成本高,且其本身的脆弱性,不适合于制备柔性电子器件。ITO薄膜的新一代替代品,如碳纳米材料、金属网孔等新型透明电极开启了新的方向。然而,新型透明电极的进一步发展及应用仍然受到一些制约的因素。首先,采用化学气相沉积合成石墨烯的几乎接近透明,但由于其本身多晶结构的缺陷,使得石墨烯的导电性差。其次,金属网孔薄膜虽然导电性较好,但网孔的非导电孔洞在很小时光透射能力低,而孔洞较大时又无法独立作为透明电极制作光电子器件。从以上两个制约因素出发,本文结合了石墨烯与金属网孔两者的优点。在基本保持金属网孔的高透过率下,利用石墨烯覆盖网孔的非导电孔洞,获得石墨烯/金属网孔复合结构连续性薄膜。本文主要基于石墨烯与金属网孔复合结构薄膜透明电极的构造、性能及应用开展系统地研究。采用化学气相沉积法合成大面积石墨烯。利用金属催化剂作为生长衬底,经过高温退火处理后,通过碳源裂解的碳原子沉积在多晶衬底表面,碳原子在其表面成核及重构生成二维石墨烯;采用两种不同的载体支撑方式转移金属衬底表面的石墨烯;利用不同的表征手段观察石墨烯的表面形貌及缺陷;通过热氧化法测算了石墨烯的晶畴尺寸,且测试了石墨烯的抗氧化性能,验证了石墨烯可作为金属理想防护层;研究了石墨烯层数关联的光学及电学性质。采用网络裂纹掩膜技术制备金属网孔薄膜。利用廉价、无毒易制备的乳液或凝胶制作自形成的网络裂纹掩膜板,通过磁控溅射工艺在掩膜板沉积金属层,利用溶液法去除掩膜板,获得性能优异的金属网孔薄膜;在一些特殊衬底下,无法直接在其表面形成掩膜板时,利用引入SiO2过渡层方式转移金属网孔至目标衬底上;研究了金属网孔薄膜的光传输特性。结合CVD-石墨烯与金属网孔薄膜的优点,采用复合方式得到石墨烯/金属网孔复合结构薄膜透明电极。系统地研究了复合结构薄膜透明电极的光电特性、机械柔韧性及可折叠性;由于石墨烯的不透气性及导电性,测试了易氧化金属网孔在石墨烯保护下的热氧化稳定性,为低成本透明电极的开发具有重要的意义;将复合薄膜透明电极集成到有机发光二极管器件中,并测试分析了其光电性能。