伴随着射频通信技术的快速发展和CMOS工艺设计水平的提高,射频集成电路在通信领域有着愈发广泛的市场需求,RFICs的关键子单元电路中都要用到电感这类无源元件,而整个RFICs的性能也会受到电感性能的直接影响。随着工作频率的不断上升,只适用于特定功能电路、结构参数固定且占用电路面积较大的传统电感线圈已经难以适应RFICs宽带化、微型化的发展目标,与此同时各种寄生效应也会对电感造成严重的性能损耗,因此,提高3D电感模型的精确度就变得极为迫切,而这也导致了片上螺旋电感在3D建模中愈发的复杂化,进而给元件参数的提取和优化等流程增加了较大难度;此外,由于目前大多数工艺库中并不能提供连续可调的参数化电感模型,因而导致片上螺旋电感在结构设计与模型优化过程中花费了大量的时间和精力同时并没有达到所期望的精度要求,给不同功能电路中电感的灵活运用造成了很大不便,也极大地限制了芯片级电感的规模化应用。基于上述难点与不足,本论文进行了深入的理论分析并结合仿真实验对电感的传统单π模型作了进一步的改进和完善。鉴于传统单π模型随频率变化时并没有考虑高频寄生效应（趋肤、邻近和衬底耦合效应）对电感性能的影响,为了提高模型精确度,首先提出了一种改进型单π模型。从结构上讲,就是在传统单π模型等效电路的顶部串联了一个L_s1-R_s1并联支路用于模拟趋肤和邻近效应,从衬底耦合效应给电感性能造成的影响角度进行考虑,衬底支路又引入了电容C_sub对其进行表征。提出的改进型单π模型采用二端口网络分析法、拟线性函数法并辅以线性拟合来实现模型电路元件参数的提取,然后对电感在HFSS中的电磁仿真数据、传统单π模型以及改进型单π模型多个性能参数的仿真数据(品质因数Q、等效串联电感L_eff和电阻R_eff、耦合系数k、S参数及其误差率)进行了比较,仿真结果证明与传统单π模型相比,改进型单π模型的精确度有所提升,但同时改进型单π模型也存在着自谐振频率f_res较低、模型等效性与拟合度差等缺点,还不能达到电感实际化应用的要求。基于上述不足,我们对模型结构进行了优化设计,进而提出了增强型单π模型,该模型中用于表示趋肤和邻近效应的电路结构不变,而采用了C₂-R₂并联支路表征衬底耦合效应并利用上面提到的方法对模型进行了参数表达式的推导、提取与拟合等流程。最后,通过对电感在HFSS下的电磁仿真数据、传统型、改进型以及增强型单π模型四者多个性能参数的仿真结果对比,充分证明相较于传统型和改进型单π模型,结构优化后的增强型单π模型在给定频率范围内具有更高的精确度、拟合度与等效性,也更加符合与接近实际运用中电感的工作状态。