本文以硅基无源集成器件为研究目标。先从薄膜磁芯材料入手,对CoNbZr软磁薄材料进行研究,设计、制备、测试并优化其性能。然后重点研究了硅基无源平面螺旋电感和硅基LC集总滤波器这两种器件。分别究了二者的设计和计算方法,并用ADS和HFSS进行仿真,分析仿真结果,优化器件性能。本文取得的进展如下:第一,分析论证了集成无源器件研究的特点,并提出本篇论文研究重点,设计硅基无源集成LC滤波器。分析了无源器件工艺技术,并对比其优劣,最终选择了硅基CMOS工艺。第二,研究了磁芯材料的制备。先分析了磁芯材料参数对平面电感性能的影响,选定直流磁控溅射发制备了CoNbZr软磁合金薄膜,并对比了不同制备条件下,软磁薄膜的性能,进而对溅射条件进行了优化,最终得到矫顽力为6.22(Oe),磁导率达到100的CoNbZr软磁薄膜。第三,研究了平面螺旋电感以及MIM电容。先对二者进行模型分析,得到平面螺旋电感以及MIM电容的等效模型。通过对模型的分析,提出电感以及电容参数的计算公式。然后用HFSS软件对两种元器件进行建模仿真,结合硅基CMOS工艺的可行性,设计出电感量为13nH,品质因数达到20的平面空芯螺旋电感,电感量为100nH左右,品质因数达到100的平面磁芯螺旋电感,以及电容量在pF量级,工作频段内品质因数达到10以上的片上电容,可满足集成LC滤波器设计的需求。第四,首先研究了LC集总滤波器的设计方法,并详细介绍了巴特沃斯响应滤波器。根据这一设计思路,利用ADS软件设计了π型低通LC滤波器,并分别用ADS电路模型和HFSS三位电磁场模型进行仿真,对比二者的仿真结果并进行了分析。得到通带截止频率为470MHz,通带损耗小于0.5dB,阻带抑制大于30dB的高频LC低通滤波器。