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本研究首先利用氧化铝膜板辅助电化学沉积法成功合成了直径为200nm,长度为4~5μm的CdSe纳米线。通过透射电子显微技术(TEM)和X射线散射能谱(EDX)研究电沉积时间和电镀液浓度对纳米线形貌结构和化学成分的影响。结果表明,纳米线的长度随着反应时间延长而增加,直径与模板孔径保持一致;调整电镀液中Cd2+和SeO2的浓度可以得到化学计量比接近1∶1的CdSe纳米线。纳米线的光致发光光谱(PL)在545nm处出现一个明显的荧光发射峰,这可以归因于纳米线表面的缺陷发光;结合电化学的相关理论对循环伏安法电沉积一维CdSe纳米材料的机理进行了初步的分析。通过溶剂热法,在180℃,利用聚丙烯酰胺辅助合成了直径约为20nm,长度为几百纳米到几微米的CdSe纳米线。通过XRD、TEM、HR-TEM表征了产物的的结构和形貌,并且讨论了反应时间对产物形貌的影响以及有机溶剂和聚合物辅助纳米线生长的机制。通过紫外-可见光谱和光致发光光谱研究了纳米线的光学性能,在660nm处有一明显的吸收峰,与体相材料相比具有明显的量子尺寸效应。利用所制备的纳米线,在80℃下,通过水溶液反应在一维CdSe纳米材料表面生长一层粒径为10nm左右的CdS纳米颗粒,成功制备了核壳结构的CdSe/CdS纳米复合材料。通过透射电子显微照片(TEM)和X射线衍射图谱(XRD)表征CdSe/CdS纳米复合材料的形貌结构和成分组织,光致发光光谱(PL)和紫外-可见吸收光谱(UV-visable)表征纳米材料的光学性能。利用手动四探针和静电计研究微电极上的纳米材料薄膜的伏安特性和光电导性能;基于纳米线的光电导特性设计了一种纳米光电传感器,并初步测试了这种纳米传感器的光响应曲线。结果表明,生长于CdSe纳米线表面的CdS纳米颗粒改善了核心材料的光电特性,增强了光电导效应及其稳定性,其快速稳定的光响应特性在光控元件中有广阔的应用前景。