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随着环境污染的加重，环境保护引起了人们越来越多的关注。半导体光催化降解有机污染物是一项节能、清洁，具有广阔应用前景的新兴技术。由于单组分的半导体对太阳光的吸收效率低，光催化活性不高，所以有关半导体光催化剂的改性研究成为人们研究的热点之一。
本论文中采用同轴静电纺丝技术制备出了SnO2＠TiO2同轴纳米电缆，SnO2＠ZnO同轴纳米电缆；采用静电纺丝技术制各了SnO2/TiO2复合纳米纤维，SnO2/ZnO复合纳米纤维，SnO2/ZnO复合纳米带；采用TG-DTA，FTIR，XRD，FESEM，TEM，EDS等分析测试手段对样品进行系统地表征。结果表明：纳米电缆的直径为100nm-300nm;纳米纤维直径为100-300nm;纳米带的宽度为2-6μm，厚度为240-600nm。
以甲基橙、罗丹明B和感光废液为降解目标产物，研究了SnO2＠TiO2和SnO2＠nO同轴纳米电缆、SnO2/TiO2和SnO2/ZnO复合纳米纤维和SnO2/ZnO复合纳米带的光催化活性。并重点探讨了同轴纳米电缆光催化过程中影响光催化效果的因素。结果表明，催化剂的浓度和焙烧温度对光催化性能有一定影响。通过对样品的UV-VIS分析表明，五种光催化剂对不同降解物均表现出一定的光催化活性。