本论文研究了Bi₂O₃-ZnO-Nb₂O₃（BZN）高频陶瓷系统的制备方法、介电性能,以及TiO₂添加剂对该系统的影响。首先研究了BiNbO4陶瓷介质,该陶瓷的成瓷性较好,但在本实验条件下介电损耗较高,温度系数负值较大,不利于实际应用。采用Ta元素对该系统陶瓷B位的Nb进行取代研究。Ta的加入使介电损耗进一步降低,烧结温度进一步升高,系统性能提升。系统地研究了Bi₂O₃-ZnO-Nb₂O₅（BZN）系统陶瓷不同的工艺路线对其介电性能的影响。实验表明:当首先合成（Nb₂O₅-ZnO）先驱体,再加入Bi₂O₃进行煅烧及最终的烧结过程,可获得介电性能比较理想的BZN陶瓷;而将Bi₂O₃、ZnO、Nb₂O₅三种成分同时混合煅烧再进行最终的烧结,或先合成（Bi₂O₃-Nb₂O₅）先驱体,再加入ZnO进行煅烧及最终的烧结过程,均无法获得介电性能理想的陶瓷材料。同时,当先驱体（Nb₂O₅-ZnO）的煅烧温度为860℃、煅烧时间为2h时材料的介电性能最佳。在进行最终的烧结时,采用较快的的升温速率（如6℃/min）时,材料的介电性能较为理想。本研究所获得的BZN陶瓷系统介电性能如下:介电常数>=150介质损耗<=2×10-4温度系数<=-370×10^-6/℃在上述研究的基础上,通过添加TiO₂,可使BZN系统的烧结温度大为降低,由1100℃降低为900℃,同时使BZN系统温度系数向正的方向迁移,由-370×10^-6/℃迁移到200×10^-6/℃。