【摘 要】
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对称波导结构激光器中,非有源区材料对光子的吸收与其掺杂浓度成正比关系,吸收损耗比较严重。为了解决此问题,本文设计一种非对称的波导结构,将光场偏离p型材料,以降低光场模
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对称波导结构激光器中,非有源区材料对光子的吸收与其掺杂浓度成正比关系,吸收损耗比较严重。为了解决此问题,本文设计一种非对称的波导结构,将光场偏离p型材料,以降低光场模式分布同高掺杂的p型材料层的交叠比例,减小了材料对光子的吸收损耗。本论文使用LASTIP软件对发光波长为808nm的无铝量子阱激光器结构进行了设计,采用分别限制异质单量子阱结构,对In1-xGaxAsyP1-y材料组分进行了理论计算,并对量子阱的阱宽,波导层材料的组分、厚度；包层的厚度、掺杂进行了理论分析与设计。然后把对称波导与非对称波导两种结构进行对比模拟分析。最后确定了有源层Ga的组分为0.86,As的组分为0.75,阱宽为8.5nm,获得了电光转换效率为78%,内损耗为0.8cm-1的量子阱激光器。
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