【摘 要】
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该论文的主要研究内容为拓展InGaAs/GaAs量子阱的波谱范围和提高AlGaInP/GaAs LED器件的发光效率.第一,讨论了1064nm半导体激光器替代Nd:YAG固体激光器的可能性;用MOCVD技术
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该论文的主要研究内容为拓展InGaAs/GaAs量子阱的波谱范围和提高AlGaInP/GaAs LED器件的发光效率.第一,讨论了1064nm半导体激光器替代Nd:YAG固体激光器的可能性;用MOCVD技术生长了InGaAs/GaAs量子阱和激光器,详细叙述了量子阱的生长和激光器的器件制备过程,探索了量子阱的最佳生长条件,研究了生长中断结合应变缓冲层改善量子阱质量的机制.第二,理论设计了620nm AlGaInP高亮度发光二极管外延片结构,给出了外延片的MOCVD生长条件和普通结构LED的器件制备过程;设计了黏着型镜面衬底AlGaInP发光二极管的结构,详细叙述了该器件的制备过程,讨论了n型电流扩展层对器件亮度的影响,研究了器件结构对亮度、稳定性等性能的影响.
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