基于BiVO4构筑的半导体光催化材料及其光降解有机污染物的性能研究

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BiVO4是一种稳定的半导体材料,其带隙仅为2.4 eV,将光吸收范围扩展到可见光区域。且不含如铅、镉、汞类的有毒元素,是一种绿色的金属氧化物。BiVO4具有优异的光催化性能,其无毒,可回收,广泛应用于光催化领域。另一方面,虽然BiVO4是一种优秀的光催化剂,但是BiVO4也具有光生电子易复合,比表面积小等缺点。我们要想办法进一步提高其光催化性能,获取更高活性的光催化剂。本文运用多种修饰技术来对BiVO4进行改性,同时,我们运用多种分析测试方法,系统的研究了BiVO4光催化复合材料的特性及其光降解抗生素有机污染物的机理。具体研究工作如下:(1)采用水热法,以Fe2O3为模板,经过原位生长法,使BiVO4颗粒结晶在Fe2O3微米盒子表面,从而合成Fe2O3/BiVO4异质结微米盒子复合光催化剂。根据TEM等表征手段来分析了Fe2O3/BiVO4微米盒子结构。经过XRD、TEM、SEM、BET等分析测试手段来对Fe2O3/BiVO4异质结微米盒子复合光催化剂的物理化学性质进行表征。光降解实验的结果表明。当Fe2O3与BiVO4的比例为3:1时,Fe2O3/BiVO4异质结微米盒子复合光催化剂对四环素(TC)表现出最优的光催化降解活性,0.05 g催化剂在2 h内对20 mg L-1的四环素降解率达到75%。通过自由基捕获实验,探究光催化剂的光降解反应机理。并通过循环实验,探究了光催化剂的稳定性和可复用性。(2)采用水热法,以三维石墨烯(rGH)为负载,合成了rGH/BiVO4三维石墨烯载BiVO4复合光催化材料。通过调节三维石墨烯的加入量,来制备不同负载比例的rGH/BiVO4三维石墨烯载BiVO4复合光催化材料。并运用XRD、TEM、SEM、UV-vis等分多种析测试手段进行表征。以四环素为目标抗生素,探究了不同比例的rGH/BiVO4三维石墨烯载BiVO4复合光催化材料的光降解活性,发现当三维石墨烯的质量分数达到1%时材料的光降解活性最强,可以在2 h对20 mg L-1的TC达到75%的降解率。(3)采用水热合成法,将碳量子点(CQDs)掺杂到rGH/BiVO4三维石墨烯载BiVO4复合光催化材料中,通过调节碳量子点溶液的滴加的体积,来制备不同掺杂比例的碳量子点修饰BiVO4负载三维石墨烯复合光催化剂。利用XRD、TEM、电化学等多种分析测试方法来对所制备的不同体积掺杂的光催化剂的物理化学性质进行表征。以四环素溶液为目标降解污染物来对材料的光降解活性来进行评估,发现当碳量子点加入体积为7 mL时,CQDs/rGH/BiVO4复合光催化剂的光催化活性最好,0.05 g光催化剂在2 h内可对20 mg L-1的四环素(TC)的降解率达到80%。
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