有机发光二极管（OLEDs）由于具有自发光、重量轻、可视角宽等优点,在过去的三十年中引起了研究人员的广泛关注,并且已经成功在平板显示器和固态照明领域商业化。然而,为了提高OLEDs的市场竞争力,迫切需要设计新的结构来提高OLEDs的功率效率。对此,本论文主要做了以下三个方面的研究:首先,使用掺杂的有机/有机p-n异质结作为串联有机发光二极管（TOLEDs）的电荷产生层（CGS）。研究发现,BCP:Li₂CO₃/CBP:MoO₃的电荷产生比BCP:Li₂CO₃/NPB:MoO₃的电荷产生更有效;与使用10 nm BCP:Li₂CO₃/20 nm NPB:MoO₃作为CGS的TOLED相比,使用10 nm BCP:Li₂CO₃/10 nm CBP:MoO₃/10 nm NPB:MoO₃作为CGS的TOLED器件性能更好。此外,10 nm BCP:Li₂CO₃/x nm CBP:MoO₃/20-x nm NPB:MoO₃的CGS的互连性与CBP:MoO₃的厚度有关。其次,在有机发光二极管中,比较了两个p-型掺杂异质结向NPB注入空穴电流的能力。结果表明,40 nm PEDOT:PSS/10 nm NPB:MoO₃结构基器件电流大于20 nm NPB:MoO₃基器件电流,而40 nm PEDOT:PSS/10 nm CBP:MoO₃结构基器件的电流与20 nm CBP:MoO₃基器件基本相同,并讨论了产生这种现象的相关机理。最后,为了优化空穴注入结构,提高OLEDs的性能,使用基于CBP:MoO₃和NPB:F₄-TCNQ的多种p-型掺杂空穴注入结构制备了有机发光二极管。实验表明了优化的空穴注入结构ITO/10 nm CBP:MoO₃/5 nm NPB:F₄-TCNQ/5 nm CBP:MoO₃可以减少空穴和激子损耗,相比于其他空穴注入结构,大大提高了器件性能。