随着电力电子技术的发展,电力电子器件功率二极管,作为电力电子技术重要基础，得到了广泛的关注和研究。同时,器件MPS因具有SBD快速的特性并兼顾PIN耐高压，y也受到了极大的关注。本文主要是对具有这两种特性的混合PiN/Schottky二极管（MPS）进行深入研究。本文首先对PIN二极管、肖特基（SBD）二极管、MPS二极管三种二极管的结构和工作原理进行理论分析。其次对反向耐压为1300V的MPS二极管的各个结构参数进行估算设计，然后利用半导体器件模拟软件(Silvaco)对设计好的结构参数进行仿真验证及优化。接下来，在相同的横向、纵向结构参数及相同的测试环境下对PIN二极管、肖特基二极管、MPS二极管三种二极管进行反向阻断特性和正向导通特性的仿真分析，比较三种结构下的阻断特性和正向特性，仿真研究MPS二极管纵向参数如漂移区掺杂浓度和厚度对阻断特性的影响，仿真分析肖特基面积比例对MPS二极管阻断特性和正向特性的影响，仿真研究元胞尺寸对阻断特性和正向特性的影响，来达到改进和优化器件结构的目的。最后，分别对三种二极管的反向恢复特性进行仿真研究，比较三种结构下的反向恢复时间。通过对相同指标条件下的MPS二极管、肖特基二极管、PIN二极管的静态和动态特性的仿真研究及比较，结果表明MPS二极管正向压降小，电流密度大，反向恢复时间短，反向耐压高，反向漏电流小，是一种很有发展前途的新型整流二极管。