【摘 要】
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随着科技的发展和社会的进步，环境问题和能源问题成为人类面临的两大首要问题。TiO_2作为一种安全无毒且取材方便的半导体材料，因其在光催化和光电效应方面的优秀性能，在缓解环境问题和有效利用太阳能方面有很广泛的应用前景。但因为TiO_2较宽的禁带宽度(3.2eV)，使其只能吸收占太阳光总能量很少的紫外光；同时TiO_2光生电子与空穴复合快，导致其光量子效率低。使用金属离子掺杂及半导体复合是解决上述问题
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随着科技的发展和社会的进步，环境问题和能源问题成为人类面临的两大首要问题。TiO_2作为一种安全无毒且取材方便的半导体材料，因其在光催化和光电效应方面的优秀性能，在缓解环境问题和有效利用太阳能方面有很广泛的应用前景。但因为TiO_2较宽的禁带宽度(3.2eV)，使其只能吸收占太阳光总能量很少的紫外光；同时TiO_2光生电子与空穴复合快，导致其光量子效率低。使用金属离子掺杂及半导体复合是解决上述问题的有效方法。本文采用溶胶-凝胶法配合旋涂法，在玻璃基底上制备了TiO_2纳米薄膜，研究了不同热处
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