中子探测用新型闪烁晶体Li<,6>Gd(BO<,3>)<,3>若干问题的研究

来源 :中国科学院上海硅酸盐研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chnlaozhang
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本文主要针对Li6Gd(BO3)3和Li6Gd(BO3)3:Ce晶体研究中存在的若干空白或有争议的问题进行了研究。   首次采用改进的坩埚下降法生长Li6Gd(BO3)3( LGBO)晶体,获取了直径达23mm,长达180mm的LGBO晶体。生长工艺参数如下,控温在1000-1100℃,固液界面处的温度梯度为40-50℃/cm,下降速率为0.2-0.8mm/h。从晶体结晶习性和晶体结构的角度出发,解释了(010)自发结晶生长面的出现的原因,并指出应采用[010]方向籽晶进行该晶体的坩埚下降法生长。   X射线衍射分析表明,采用改进的坩埚下降法生长的晶体为单一的LGBO相,晶胞参数如下:a=7.2177A, b=16.4909A,c=6.6961A,β=105.2°。主成分分析表明,生长后期Gd明显偏低,Li和B偏高。从原料未充分反应导致熔体分层的角度,解释了这种组分偏离化学计量比的现象。DSC分析表明,晶体的熔点为854℃,凝固点为634℃。在320~800nm范围内,2mm厚的LGBO晶体的透过率大于90%;200~320nm范围内的尖锐吸收峰与Gd3+离子的4f-4跃迁有关。测试了光激发下晶体的激发与发射光谱,逐一指认了激发峰和发射峰。X射线激发下LGBO晶体的发光性能研究发现,除6p7/2→8S7/2跃迁313.25nm发光峰外,还存在位于438.75nm的宽发光带和若干线发光峰,分析了它们可能的发光机理。   研究了提拉法生长LGBO和LGBO:Ce晶体的若干技术问题。研究认为,(010)小面的显露与LGBO的晶体结构和生长习性有关。详细地分析了采用提拉法生长LGBO和LGBO:Ce晶体过程中存在的失透、开裂、多晶、包裹体等宏观缺陷。“失透”是结晶所需的过冷度无法满足,增大温度梯度或放慢提拉速度可以消除之;热应力开裂与温度梯度过大、降温过快及晶体导热系数较小有关,解理开裂与晶体结构和生长采用籽晶的方向有关;讨论了LGBO和LGBO:Ce晶体中的固态和气态包裹体的成因并提出了消除它们的工艺措施。这些问题的解决为以后该晶体生长指明了研究方向。   在解决了晶体生长中存在的诸多问题后,成功制备出直径达25mm,长达40mm的高质量Li6Gd(BO3)3:Ce晶体。晶体在380~800nm之间的透过率接近90%。透过谱中200~380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的。LGBO:Ce晶体在紫外和X射线激发下的发射光谱均显示Ce3+离子的双谱峰发射特征:相比紫外激发下的发射光谱,X-ray激发下的发射光谱略有红移且5d1→2F7/2跃迁的相对几率略有增加。LGBO:Ce晶体的光激发下的发光衰减符合单指数模型,在300K下的衰减时间为30.74ns。初步考察了衰减时间对激发波长和发射波长的依赖性。在241Am源的α射线激发下,LGBO:Ce晶体的能量分辨率为28.84%。   首次较为详细地研究了光激发下,80~500K范围内,LGBO:Ce晶体的发光和衰减的温度依赖特性。   在346nm光激发下,LGBO:Ce晶体发光的温度依赖特性与274nm光激发下的不同。前者受热猝灭影响,发光随温度的增加而减弱;后者由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定。发光与温度的关系分为两个阶段:低于200K,Gd3+向Ce3+的能量传递占主导地位,随温度升高发光增强;高于200K,热猝灭逐步取代能量传递成为主要影响因素,发光随着温度的升高而减弱。根据发光的温度依赖数据,利用经典热猝灭公式计算出的猝灭激活能为0.33eV。   区分了5d7→2F7/2和5d1→2F5/2跃迁对总发光的贡献。结果发现,二者具有不同的温度依赖性和激发波长依赖性。利用位形坐标、热猝灭理论以及能量传递对此进行了解释和分析。随着温度升高,与5d7→2F7/2和5d1→2F5/2跃迁相关的两个发光谱峰均发生红移并宽化。   衰减与温度的关系可分为两个阶段:在225K以下,辐射跃迁几率起主导作用,由于声子俘获效应,衰减时间随温度升高而增大;在225K以上,无辐射跃迁取代辐射跃迁成为决定性因素,衰减随温度升高而减小。根据衰减时间数据,利用无辐射跃迁几率的Arrhenius公式计算出猝灭激活能为0.32eV,该数值与前面根据发光温度依赖数据计算出的数值极为接近。   采用电子、γ-ray、快中子作为辐照源,通过对LGBO和LGBO:Ce晶体在辐照前后、退火前后的激发与发射光谱、透过率变化的对比和分析,较为详细地研究了它们的辐照损伤机理。   LGBO晶体具有较好的抗辐照性能,在电子束辐照下的抗辐照硬度大于108rad,在γ射线辐照下的抗辐照硬度大于5×107rad,在3×1011n/cm-2的快中子辐照下,晶体无明显损伤。   LGBO:Ce晶体受到电子和γ射线辐照后,一部分Ce3+离子被诱导转化为Ce4+离子,导致发光增强;同时,这种诱导转化改变了Ce3+/Ce4+的比率,导致Ce4+离子的电荷迁移吸收减少,200~340nm范围内透过率增加;由于Ce3+的4f-5d跃迁吸收和诱导色心吸收增加,导致340~500nm透过率降低。退火后,发光和透过率变化具有与辐照后完全相反的规律性,认为诱导转化而来的Ce3+离子不稳定,在加热时会重新转化为Ce4+离子:同时,Ce3+离子在空气气氛中不稳定,加热时一部分非辐照转化Ce3+离子转化为Ce4+离子。在总剂量为1.03×1011n/cm2,能量为14.6MeV的快中子辐照下,LGBO:Ce透过率无明显的变化。
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