LTPSTFT电流模型在AMOLED像素电路中的应用

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本文综合地研究LTPS TFT的电流模型,在前人的基础上对部分模型进行优化,如对亚阈值电流输出特性的关注。通过实验观测,我们发现在亚阈值区中也存在一个饱和电压,该电压点主要受载流子的速度饱和效应影响。本文还将所有区域的电流模型整合起来,以便于模型的实际应用。将开态电流模型应用于分析最基础的AMOLED像素驱动电路——2T1C像素电路中。我们可以明确的计算出像素电路的充电时间、驱动电流,估算器件的退化效应和由寄生电容引起的电荷注入效应、时钟馈通效应对驱动电流的影响。开态电流模型的参数物理意义明确,且数目较少。该模型可用于电路设计的初步预估,即在已知的驱动模式下,通过该方法我们就可以判断LTPS TFT器件是否能够满足驱动的需求。我们将LTPS TFT的电流模型应用于仿真软件中,自动化地分析和设计电路。首先,我们用Verilog-A语言正确的描述出LTPS TFT的电流和电压行为,再使用与Verilog-A兼容的Hspice仿真器,分析像素电路特性。我们选用较为典型的电压驱动型像素电路和电流驱动型电路各一组来进行示范。直流分析,选定恰当的电路工作点;瞬态仿真,观察电路中各个节点的动态响应,模拟像素电路的实际工作情况。经过优化提高的器件电流模型完全可以应用于实际生产。
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