准一维纳米结构材料,包括纳米管、纳米线(棒)、纳米带以及它们之间相互复合所形成的复合结构(例如同轴纳米电缆、纳米异质结等).由于它们所具有的奇特物性以及在未来介观物理、电化学、(光)电子纳米器件、纳米机械等诸多领域的潜在应用前景,已成为目前物理、化学、材料等学科领域关注的前沿和热点之一.其中,准一维纳米材料的可控生长是实现上述应用的前提与基础.本论文工作的重点是研究氧化物准一维纳米材料及其复合结构的合成、生长机理及其物性.结合具体实验条件,开展了多方面的探索工作,主要成果与结论如下:1.合成了一种表面上具有氧化硅纳米线的锡—硅—氧微米结构:采用硅片做硅源、锡做催化剂,在真空条件下合成了表面长有氧化硅纳米线的锡—硅—氧新奇微米结构,对其形貌和结构进行了表征;分析了这种新结构的生长过程与形成机理,用"固—液—固(SLS)"机制很好地解释了其生长过程.2.采用低熔点金属锡做催化剂,通过化学气相沉积法在硅片上合成了大量的"水母状"氧化硅新奇纳米结构.3.提出了用金属单质直接氧化法制备SnO<,2>纳米带的新方法,其优点是操作简单、成本低廉,合成纳米带的量大.以纯锡粉为原料,通过直接氧化法合成了大量SnO<,2>单晶纳米带,电镜观察表明纳米带的宽度为60-250 nm、厚度为10-30nm、长度为几百微米(有少数达到毫米级).4.开辟了用碳热还原和气—固生长机制相结合制备SnO<,2>纳米带的新途径.5.发明了用两次化学气相沉积法合成以纳米带为基的复合结构的方法.以第一次化学气相沉积法获得的SnO<,2>纳米带为基底,通过第二次化学气相沉积法在其表面上继续生长氧化物纳米线(棒),制备了一系列基于纳米带的复合纳米结构.