准一维纳米结构材料制备己经成为纳米材料科学中的前沿领域和研究热点。这是因为准一维纳米结构材料制备是理解纳米材料基本物理特性和构筑纳米功能器件的基础。它在光学、电学及机械等方面有区别体材料的许多独特的性能，并在制造实用新型纳米光电器件具有广阔的应用前景。近几年，作为一种重要的宽禁带半导体材料，低维半导体AlN纳米结构的制备与性能研究也引起了科研人员广泛的关注。本文利用自制的真空管式炉沉积系统，采用固相源化学气相传输法制备出了多种形貌的AlN纳米结构（纳米锥、纳米棒、纳米带、纳米片和纳米线）。通过改变实验参数，主要包括：温度、流量、衬底、衬底位置来实现准一维AlN纳米结构的可控生长。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和拉曼（Raman）光谱仪对所制备的AlN纳米结构进行了微结构和形貌的表征。利用光致发光和傅立叶红外光谱仪对准一维AlN纳米结构进行了光学性质的测量。研究结果表明：通过控制反应温度和气体流量等参数能够控制准一维AlN纳米结构的形貌。温度越高，铝在AlN晶体外延生长面越容易扩散；氨气流量越大，氮源流量相对变大，促进Al的氮化，能够抑制铝蒸汽在AlN晶体外延生长面的扩散，两者综合作用下影响了AlN纳米结构的形貌。准一维AlN纳米结构沿着纤锌矿结构c轴方向生长，其生长机制可以用气-固生长方式来解释。准一维AlN纳米材料的形貌影响其发光特征，缺陷越多，发光几率越大，发光强度越强；AlN纳米结构在蓝绿范围的发光峰主要与Al（或者N）空位和O杂质引起的缺陷能级相关。纳米化的AlN比单晶AlN红外吸收峰宽化。