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GSM系统是世界范围内日趋成熟的第二代移动通信系统的典型代表。随着CMOS工艺向深亚微米方向快速持续发展，使得低成本和低功耗CMOS单片GSM全集成收发器的科学研究和产品生产有着更为重要的意义。
论文首先系统阐述了无线发送器的三种体系结构，针对GSM系统的要求采用了直接混频的发送器结构；由对功率预放大器所要求的指标以及放大器的类型选择了AB类功率预放大器作为论文设计的重点。
论文研究了两种结构的用于输出功率可控的可编程增益放大器，结构I利用源极电感负反馈技术来改善线性度，但不同控制字下的线性度变化较大；而结构II则是采用改变尾电流的同时改变MOS管尺寸的方法有效解决了上述问题。
论文研究比较了共源共栅级与共源级的功率预放大器的优缺点，在共源共栅级中采用具有低通特性的电阻电容自偏置技术避免共栅管栅氧击穿和抑制热载流子恶化；结合Pad和封装结构中的寄生参数，采用片上电感作负载，使得在输出最大功率的同时保证了输出信号的频谱纯度，基本满足了GSM发送器ACPR的要求；并提出了一种有效解决直接混频结构中功率预放大器对压控振荡器的本振频率牵引的方法。
电路工作在1．85～1．91GHz，电源电压3．3V，采用SMIC0．18um1P6MCMOS工艺流片，结果表明在包含有封装，Pad和器件寄生参数的电路后仿真结果和测量结果之间显现出了较好的一致性，从而为以后的电路设计提供了参考依据。论文的最后将两种结构的功率预放大器的测试结果与其他文献进行了比较，并给出了整个GSM发送器通道的测试结果。