在无线电通讯技术高速发展的今天,可以实现多频段,多制式的通讯技术需求,并且集成度更高,更加小巧,便于个人通讯终端使用的FBAR(Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonator)解决方案逐渐成为了行业关注的热点。而在国内FBAR的研究仍处于起步阶段,滤波器的设计能力较为薄弱,基于MEMS的FBAR制备工艺仍然不够完善,基于这种情况,本文对FBAR滤波器的设计和工艺制备做了相应的研究。本文首先简介了FBAR的发展环境和现状,分析了FBAR所具有的项目优势。然后在仿真设计中,推导得出FBAR电学阻抗公式,并在此基础上建立一维物理模型详细分析了单个谐振器材料,膜层厚度,面积等物理参数对器件性能的影响,得出了适合构筑滤波器的谐振单元大体参数。进一步,通过级联谐振单元的方法,按照滤波器设计的一般思路,设计了带宽1.48GHz～1.53GHz,相对带宽0.13%,带内插损小于1dB,带外抑制小于-57dB的RF滤波器,分析了设计过程中面临的各种问题。在滤波器工艺制备方面,概述了FBAR工艺制备的流程,对现有的工艺制程做了优化,着力解决了牺牲层平坦化,AlN台阶刻蚀,牺牲层粘附效应等在现阶段工艺中较为致命的问题,实现了FBAR谐振器的制备。最后,对测试环境进行了拟合,排除了寄生效应的干扰,得到了器件的电学参数。