低阻高B值Mn-Ni-Cu-O系NTC热敏材料的研究

来源 :华南理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wang_hua1983
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NTC(Negative Temperature Coefficient)热敏电阻可广泛应用于抑制浪涌电流、温度测量和温度补偿等方面。本论文以Mn-Ni-Cu基NTC热敏电阻材料为研究对象,研究化学组成、制备工艺对Mn-Ni-Cu基NTC热敏电阻材料物相组成、微观结构以及电学性能的影响。论文研究目标是获得低电阻率高材料常数B值的NTC热敏电阻材料。首先研究了Mn-Ni-Cu三元系NTC热敏电阻材料,研究了其化学组成、烧结工艺对微观结构和电性能的影响。研究结果表明,在Ni含量0.35≤x≤0.65范围内,随着Ni含量的增加,材料常数B值单调增大,而室温电阻率呈U型变化;通过复阻抗谱分析证实,Ni含量变化会引起晶粒内部阳离子分布变化,从而引起材料电阻率相应变化;XRD分析表明,Ni含量过高会形成不良导电相NiO,亦会导致材料电阻率增加。随着Cu含量的增加,材料室温电阻率和材料常数B值先减小后增加。材料的烧结温度对Cu含量十分敏感,随着Cu含量的增加,最佳烧结温度下降,烧结温度过高会使材料的室温电阻率增加。在Mn-Ni-Cu三元系NTC电阻材料研究基础上,研究了Fe2O3掺杂对Mn-Ni-Cu系热敏电阻材料微观结构和电性能的影响。XRD分析表明,在Fe含量x≤0.4范围内,Fe离子完全进入尖晶石结构中,随着Fe含量的增加,晶格常数减小,晶粒尺寸变小;随着Fe含量的增加,材料电阻率先小幅度减小后增大,在x=0.1时,电阻率取得最小值;而材料常数B值随着Fe含量的增加,先显著减小后增大,在x=0.3时取得最小值。在Mn-Ni-Cu三元系NTC电阻材料研究基础上,研究了SiO2掺杂对Mn-Ni-Cu系热敏电阻样品性能的影响。当Si含量x≤0.08时,晶粒尺寸随着Si含量的增加而减小,单位体积内晶界数目增加;当Si含量x>0.08时,晶粒尺寸随着Si含量的增加而变大,单位体积内晶界数目下降。Si元素在尖晶石结构中主要以Si4+价态占据B位,尖晶石结构中阳离子分布随Si含量增加而变化,从而导致样品的电学性能发生变化。在Mn-Ni-Cu三元系NTC电阻材料研究基础上,研究了Co含量对Mn-Ni-Cu系热敏电阻样品的相结构、微观形貌以及电性能的影响。当Co含量x<0.8时,与Mn-Ni-Cu形成良好的固溶体,当Co含量x=0.8时,有少量的杂相Co3O4和CoO存在。从复阻抗谱分析可知,室温环境下材料总电阻率的贡献主要来自本征贡献。样品室温电阻率与材料常数B值均随Co含量的增加而增加,Co元素可在对样品电阻率影响较小的情况下,提高材料常数B值。在Mn-Ni-Cu三元系NTC电阻材料研究基础上,研究了Zn含量对Mn-Ni-Cu系热敏电阻样品性能的影响。当Zn含量x<0.7时,样品为单相立方尖晶石型结构;当x=0.7时,样品为四方尖晶石结构,并存有杂相NiO和CuO。样品室温电阻率和材料常数B值均随着Zn含量的增加而增大,老化性能随着Zn含量的增加而提高,在x=0.6时,样品老化后电阻相对变化率取得最小值/=1.47%。
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