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宽禁带半导体材料是目前半导体材料研究领域的热点之一。SnO2是一种对可见光透明的宽带隙氧化物半导体,禁带宽度3.7-4.0eV,具有正四面体金红石结构。在掺了氟之后,SnO2薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点,已被广泛应用于太阳能电池、电热材料、透明电极以及气敏材料等方面。已经有几种方法用于制备FTO薄膜,包括气相沉积法（CVD）、溅射、热蒸发法、溶胶凝胶法。 但是,目前研究的氧化锡掺氟材料都是薄膜型的,还没有关于氧化锡掺氟粉体的报道,而与FTO性能类似的ATO（SnO2掺Sb）粉体已得到了广泛的研究。纳米ATO粉体在加入溶剂、树脂分散之后可做为抗静电浆料,广泛应用于涂料、化纤、造纸、包装、建筑材料等方面,显示出比其他抗静电材料（如石墨、表面活性剂、金属粉）更大的优越性。而对于掺氟氧化锡纳米粉的制备,至今没有相关报道。由于氟原子半径（0.133nm）和氧原子半径（0.132nm）相差不大,掺杂F对SnO2晶格的影响很小。掺杂F后的SnO2粉体呈现出绿色,在得到分散之后,透明度将比蓝色的ATO粉更高。所以,FTO粉体将有广阔的应用前景。 本文综合介绍了各种SnO2薄膜和粉体的制备工艺,掺杂和未掺杂SnO2的基本性质及在各个领域中的应用。本文以SnCl2·2H2O和HF酸为原料,利用湿化学法成功制备了导电的掺氟二氧化锡粉。在氧化的过程中掺杂,能使F原子更容易取代0原子,在较低温度（400℃）下得到了低电阻的掺氟二氧化锡（FTO）纳米颗粒,生产工艺简单,值得大力推广。用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能量散射分析（EDS）和压片测电阻来对FTO纳米粉进行表征。XRD测试表明了,掺杂氟不会改变SnO2晶体的单相金红石结构,且在制备过程中所得的中间产物为SnO,证实了是在SnO→SnO2的氧化过程中进行的掺杂。SEM测试表明,粉体呈薄片状,长宽在50～100nm,厚度在10～20nm,分散性较好,颗粒轮廓清晰,并且随着掺氟浓度增加,颗粒团聚加剧。EDS测试显示,粉体的成分组成与原料成分比例很接近。压片电阻测试表明,掺氟二氧化锡粉体有良好的导电性能（均小于200Ω/cm）,低于本实验室所制的掺锑二氧化锡（ATO）和纯SnO2粉。经过各掺氟浓度的粉体电阻的对比发现,当F与Sn的比例n[sn]/[F]=10:3时,粉体的电阻最低,达到57.25Ω/cm。