基于固态碳源的CVD法制备石墨烯薄膜研究

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石墨烯是可以被视为一个C原子层厚度(0.335nm)的石墨层,是由C元素组成的类似于苯环的一种六元环二维蜂窝状点阵结构,C原子之间的连接十分柔韧,自身结构十分稳定。同时,石墨烯作为当下一种炙手可热的半导体材料,因其带隙为零,且具备优异的导电、导热、力学性能,使其成为最理想的杂化材料,在微电子领域拥有非常高的关注度和及其广阔的应用前景。目前基于气态碳源的CVD法是制备石墨烯的主要方法。但是由于气体不易控制,且气态碳源(如CH4)需要非常高的温度(一般为1000℃)才能裂解,这就导致控制气态碳源制备石墨
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