与传统的块状材料相比,二维材料具有许多独特的性能。例如,它们的传热和载流子迁移都被限制在一个有限的二维平面内,带隙可以通过厚度和层数进行调整、优异的量子限域效应和优异的各向异性等。二维材料在许多领域具有广阔的商业前景。如何最大限度地发挥二维材料在电子和光电子领域的潜在应用,离不开对其物理性质的基础研究。在本研究中,我们采用化学气相沉积法成功合成多种二维薄膜材料,并采用拉曼散射光谱方法研究不同类型二维硫族化物材料的晶格动力学以及在外场调控下的相结构依赖关系。主要研究成果如下:（1）采用化学气相沉积法制备WS2、WSe2、MoSe2和WTe2的二维硫族化合物。光学成像表明这些二维材料均为三角形、六边形、长条形的稳定结构。拉曼散射峰的强度高且半高宽很窄,这表明材料具有良好的结晶度。3D mapping成像图表明我们合成的材料结构均匀。使用SEM和EDS对样品测试化学元素组成。我们成功制备结构均匀且结晶度良好的单层二维硫族化合物,这为课题组在接下来二维材料器件上的研究打下良好的实验基础。（2）采用偏振拉曼散射光谱研究不同压力下二硒化铂（PtSe2）的晶格动力学的变化特性,揭示其内在晶体结构演变规律。我们发现它的两个特征声子模式Eg和A1g随着压力的增大表现出相似的硬化趋势;在高压下,拉曼峰位置和半高宽都有明显的突变现象。特别是在4.3 GPa处的分裂格模式证实了晶格对称性的变化。通过原位高压拉曼散射光谱和第一性原理计算,系统地解释了压力对PtSe2结构及其晶格动力学行为的影响,即PtSe2在高压下存在一种新的稳压结构C2/m,并且在高压下PtSe2属于第一类狄拉克半金属材料。不仅如此,采用高压原位拉曼光谱与理论预测相结合的手段,还为寻找和调控二维材料的新结构开启了一个崭新的窗口。（3）利用外场（温度和压力）调控三元硫族化合物TlGaS2的拉曼散射光谱,总结其结构相变演变过程。研究发现,随着温度的升高,几乎所有的拉曼散射峰都逐渐向低频方向移动,这是由于实验中存在的热膨胀效应。需要指出的是在40.6 cm-1处的拉曼声子模式,它随着温度的升高而向高频方向移动。位于70.6 cm-1、173.3 cm-1和331.6 cm-1处的拉曼峰在225-250 K之间消失。因此,通过温度场下的声子动力学研究揭示了TlGaS2由顺电相到铁电相的结构转变。随着温度的下降,我们发现材料的低温跃迁表现出滞后现象,这也同时证实了一级相变的存在。此外,我们通过不同压力下的拉曼散射光谱发现在6.43-8.26 GPa处,拉曼散射声子频率随着压强的增大有一个突变的现象,并且位于141.2 cm-1和189.3 cm-1的拉曼峰随着压力的增大而消失,证实了P到HP-I到HP-II的结构转变。目前的研究结果将有效地促进了在极端环境下调控三元硫族化合物晶体结构的研究,这将为探索潜在相变的基本机制和制备结构和功能稳定性器件发挥重要作用。