半导体激光器(LD)具有体积小、成本低、便于集成和辐射波长范围广等优点.它是一种有着广泛而潜在应用前景的激光器,在光通信、光数据存储和集成光学上有独特的优势.但目前市售LD仅有红光和红外光波段,而兰光和绿光的LD尚处于实验室阶段,离实际的应用尚有一定的距离〔1〕.采用非线性光学材料将近红外的LD直接倍频是产生兰绿光的一种有效且经济的手段.KTP晶体同时具备:大的二阶非线性系数、良好的温度稳定性、良好的相位匹配的容忍范围和良好的热学性能.这样,KTP晶体在将LD直接倍频产生兰绿光器件上有独特的优势.KTP晶体属于MTiOXO<,4>化合家族.依据极化理论,在晶体中引入其它的离子将引起晶体中离子极化率的变化或键的变化,从而引起晶体的折射率和非线性系数变化.由于这些变化,使晶体相匹配性能随之变化.因此,对KTP晶体进行掺杂性改而使其倍频Ⅱ型相位匹配的截止波长缩短的理论上是可行的.该论文的工作是通过改进和完善生长工艺以获得大尺寸的透明的Nd:KTP晶体,并对其光学性能进行深入的研究,为研制将LD直接倍频产生兰光的器件的实用化奠定基础.