横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semicondu ctor,LDMOS）作为高压大功率器件的热门研究方向之一,需要具备高可靠性。其中,绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator,SOI）高压器件因为其隔离性能好、低功耗等优点,成为研究LDM OS器件的重中之重。在研究过程中,SOI器件本身存在一些问题,如自热效应等,限制了其进一步发展,而部分绝缘层上硅（Partial Silicon-On-Insulator,PSOI）作为缓解自热效应的有效手段,近年来得到广泛关注。考虑到SOI结构的优良特性,本文在传统SOI器件的基础上,提出了四种器件新结构,并利用Sentaurus TCAD仿真工具进行仿真,分析了它们的耐压机制、电场电压分布以及对几种器件进行比较,并做优化,从而提升器件性能。首先,本文以LDMOS和SOI LDMOS的基本概述为起点,分别介绍了研究现状,工作原理等内容,描述了RESURF技术,并对SOI器件的优缺点、研究机理以及场板、低k介质埋层、电荷槽、沟槽和超结等改进结构进行阐述。其次提出了两种SOI新结构,分别是具有单个三角形埋氧层和具有多个三角形埋氧层的SOI高压器件结构。这两个器件都是以传统的SOI器件为基础,在埋氧层的上方,前者增加了一个三角形埋氧层,后者增加了多个相同的三角形埋氧层。三角埋氧层不仅可以参与调制器件的表面电场,使器件在横向上的电场得到了均匀分布,增大了器件的击穿电压,而且在三角形埋氧层界面凹槽处引入更高密度的电荷,使埋氧层电场得以增强,因而提升了器件的品质因数。然后基于PSOI器件的高性能,提出了两种PSOI新结构,分别是具有单个三角形埋氧层的PSOI LDMOS和具有多个三角形埋氧层的PSOI高压器件结构。在传统SOI器件的基础上,增加了硅窗,且在埋氧层的上方,前者增加了一个三角形埋氧层,后者增加了多个相同的三角形埋氧层。硅窗可以使器件衬底与漂移区相连,使衬底参与耐压,缓解器件的自热效应,进一步提高器件的击穿电压、降低导通电阻,提升品质因数,为SOI器件的发展提供了新方向。最后,对上述工作进行总结,以及对未来阶段的研究进行计划和展望。