【摘 要】
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近年来,在光学信息处理方面,基于半绝缘多量子阱光折变材料的器件有着广泛的应用前景,引起了人们广泛和重视.该文讨论了量子阱光折变材料的电光性质和深能级缺陷,对量子阱光
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近年来,在光学信息处理方面,基于半绝缘多量子阱光折变材料的器件有着广泛的应用前景,引起了人们广泛和重视.该文讨论了量子阱光折变材料的电光性质和深能级缺陷,对量子阱光折变材料和其他光折变材料的性能作了比较.作者用国产IV型分子束外延系统研究了掺Cr半绝缘GaAs/AlGaAs量子阱材料的生长条件,发现当Cr源温度为800℃时,有良好的晶体质量,掺杂浓度为10<16>cm<-3>,室温下,电阻率>10<7>Ωcm,有明显的激子吸收.相应的光折变器件在平行场配置下,外加电场12kV/cm时,二波耦合增益>400cm<-1>.同时,参与了我组低温生长量子阱光折变材料的研制工作,相应器件的性能处于国际先进水平.
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