ZnSe1-xTex中的自陷态激子研究

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本文研究了ZnSe(1-x)Tex半导体晶体中的自陷态激子。首先采用紧束缚分子动力学方法对晶体进行模拟退火计算,得到各个温度下的ZnSe(1-x)Tex半导体晶体位形。然后用MNDO-PM3方法对不同温度下晶体中的自由激子(FE)及自陷态激子(STE)的演变过程进行了微观模拟计算。计算所得的结果与实验结果符合的较好。通过计算发现,在低温时,能量有利于hTe1+e类型的STE激子的形成;温度升高后,hTe1+e,hTe2+e两种激子共存,但是从能量上看,更有利于hTe2+e类型激子产生。据此,本文对ZnSe(1-x)Tex半导体晶体中的光致发光现象给出了理论解释。
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