尽管硅是公认为研究得最为透彻并且已成为微电子占主导地位的材料,但它的间接带隙结构导致其光致发光效率十分低下,一直被看作是不能用来制造半导体光源材料的.发光多孔硅的室温下的强烈可见光发射,为作者利用多孔硅的电致发光器件实现硅基光电子集成打开道路.p<->/p<+>型多孔硅材料对实现硅基光电子集成具有重要的意义.作者通过改变Si衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件,在p<->/p<+>型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后,在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了800℃高温退火处理.通过测量样品的光致发光谱,研究了样品衬底离子注入浓度,阳极氧化条件及后处理条件等对p<->/p<+>型多孔硅样品发光的影响,为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件,提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据.另外,作者在进行p<->/p<+>型多孔硅样品的制备过程中,发现同浓度的久置和新配制的HF溶液生长的多孔硅样品有比较大的差别.作者作用Raman光谱和PL光谱对新旧HF溶液阳极氧化条件下所生成的样品进行了研究,并对比了p<->/p<+>型多孔硅和P<->型多孔硅的实验结果,发现,虽然p<->/p<+>型多孔硅和p<->型多孔硅的拉曼谱随HF溶液浓度变化的趋势相同,但使用新配置的HF溶液可保证所生成的多孔硅样品有较好的均匀性和可重复性.