微机电系统(MEMS)技术是继微电子技术之后又一高速发展的新兴技术领域。对国家的国民经济及军事能力有着巨大的影响力。MEMS技术具有体积小，重量轻等特点，而与集成电路技术的结合又使其具有批量生产、成本低的优点。MEMS与CMOS电路单片集成可以提高MEMS器件的可靠性与集成度，因此是当今MEMS领域的一个热门发展课题。　　本文在分析国内外MEMS单片集成技术研究的基础上，结合标准CMOS电路加工技术及北京大学微电子实验室加工能力，确定了基于隔离槽工艺的MEMS单片集成工艺研究方向。结合课题组之前的研究成果，详细分析了之前集成工艺中所存在的问题及解决方法，并设计单项实验加以验证，最终设计完成了一套改进的MEMS单片集成加工工艺方案并完成了整体版图的绘制。　　本文第一部分首先介绍了介绍了国内外主要的集成工艺方案，比较并得出了基于SOI工艺的深槽隔离工艺的优越性。　　文章的主体部分首先介绍了MEMS加速度计的原理，之后首先分析了之前课题组设计工艺中存在的问题，提出了针对这些问题的解决方法，并通过单项实验加以验证，最终得出了改进的集成SOI加速度计的工艺设计方案;在版图设计部分，论文介绍了基于开关电容滤波的信号读出电路设计，其中包括开关电容滤波器的设计及仿真结果以及一些集成单管测试电路的设计及仿真，最后介绍了整体集成版图设计的设计考虑。　　最后总结了研究工作中所遇到的一些问题，以及对将来工作的建议及展望。