有机半导体材料由于其优异的光电性质、柔韧性好、制备简单、性质可化学修饰、以及结构可塑性强等特点越来越受到人们的关注。有机半导体主要是由C、H、O、N等轻元素组成,并且元素之问的轨道耦合作用弱,自旋弛豫时间极长,在自旋电子学领域也具有极大的应用潜力。其中,有机小分子8-羟基喹啉金属配合物,结构简单,制备方便,具有优异的光电性质且稳定性好,在OLED、有机纳米器件、有机自旋阀器件等领域显示出巨大的应用前景。8-羟基喹啉铜(Cuq2)分子构造简单且性质优越,分子结构可呈现宏观可视相变。Cuq2分子还是一种具有自发自旋极化的材料,在有机磁体及有机自旋电子学等领域具有重要的应用潜力,是目前有机分子研究的热点材料之一。本论文选择8-羟基喹啉铜材料,主要进行了两方面工作：一、通过真空热蒸发方法制备了8-羟基喹啉铜薄膜,然后通过在不同温度下退火,观察到了样品从非晶薄膜到有机晶体的生长过程,并研究了材料发光性质的变化；二、通过对8-羟基喹啉铜进行稀土元素掺杂,研究了材料的结构及磁性变化。主要研究内容和结果如下：(1)采用有机热蒸发设备制备出纯8-羟基喹啉铜(Cuq2)以及Sm和Dy掺杂Cuq2薄膜,首次发现了稀土元素掺杂后的Cuq2薄膜在室温下具有本征铁磁性,其掺杂薄膜的饱和磁化强度和矫顽力可随着掺杂比例的减小而增强。并且对Sm掺杂Cuq2薄膜和纯Cuq2薄膜进行了FTIR光谱分析,发现了光谱的变化,旧峰的消失和新峰的出现,说明Sm原子和Cuq2进行了成键。(2)我们对纯Cuq2薄膜和经过掺杂Sm的Cuq2薄膜,进行退火后表面形貌的研究,发现了Cuq2微／纳米晶粒,且有些晶体的尺寸较大、规则性好。这表明退火后的Cuq2薄膜其结晶性效果更好,并且随着温度的升高,单晶尺度更大。这其中退火的温度分别为0℃,80℃,100℃,120℃,150℃,退火的时间为两个小时,退火时的高纯Ar气速率为0.3L/min,并且Sm和Cuq2的掺杂比例均为摩尔比1：1。(3)通过对PL谱研究我们发现纯Cuq2薄膜室温下具有较弱的发光性能,但是低温下发光性能较好,尤其是在220K时,主峰位出现了蓝移现象,且PL谱呈现RGB三色,并且重离子Cu掺入薄膜中其发光性能受到很大影响,光致发光更弱,而稀土离子Sm掺杂进去后,其发光性能更好。