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随着半导体、计算机和太阳能等领域的迅速发展，ZnO材料广泛应用于高清平板显示器、透明电极、太阳能电池板和各种光电子设备。 本文以制备Al掺杂ZnO(AZO)粉体和陶瓷靶材为目的，论述了ZnO的掺杂理论、典型性能、靶材的制备技术及高分子网络凝胶技术的发展现状;研究了聚丙烯酰胺高分子凝胶法制备AZO粉体的基本工艺与方法;分析了Al掺杂浓度，前驱体煅烧工艺对粉体光学性能的影响;研究了二步烧结法制备AZO陶瓷靶材的烧结工艺;分析了Al掺杂浓度、烧结温度T1、升温速度v1、保温温度T2对AZO陶瓷靶材的显微结构、相对密度和导电性能的影响。研究结果表明: (1)随着Al掺杂浓度的增加，AZO粉体晶粒尺寸逐渐减小;在600℃的煅烧温度下，Al的掺杂浓度可高达8％，当煅烧温度升高至750℃，AZO粉体(x(Al)=5.5％)出现少量耐腐蚀的第二相ZnAl2O4。 (2) AZO粉体的紫外吸收随Al掺杂浓度的增加先蓝移后红移，而随煅烧温度的提高发生红移;当Al掺杂浓度为5.5％（摩尔浓度）时，在550℃煅烧下1h，AZO纳米粉体具有最大的光学禁带能，为3.39eV(366nm);粉体还表现出近边紫外发射(406nm)和蓝光发射(430nm)性能。 (3) Al掺杂后ZnO的结构为纤锌矿结构;其晶格常数a和c随Al掺杂浓度的增加呈现先减小后增大的趋势。当掺杂浓度过大时，XRD衍射谱中出现锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的衍射峰。 (4)随着Al掺杂浓度的提高，AZO靶材的相对密度逐渐降低，随升温速率的提高，靶材的相对密度增加;随着保温温度T2的提高，靶材的相对密度增加，电阻率降低。在T1=1400℃、v1=10℃/min，T2=1350℃的烧结工艺下，AZO(w(Al2O3)=1.5％)靶材电阻率为2.9×10-2Ω·cm。