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论文主要介绍了大功率GaAs/AlGaAs材料体系DFB激光器及其集成器件的发展，并对本论文主要研制的1060nm DFB激光器与MOPA单片集成器件进行了深入调研。详细介绍了制作DFB激光器的相关理论基础并进行了模拟分析，优化了材料结构参数，探索了核心工艺的制备条件。通过采用优化脊波导形貌以及低内部损耗宽波导两种不同设计方案制备了1060nm大功率DFB激光器。采用大光腔设计制备了MOPA单片集成器件，并对绿光倍频方案进行了初步探索。 1.采用耦合波方程建立了脊波导激光器光栅结构的分析模型。通过修正后的耦合波方程求解光栅耦合系数，得到了二阶光栅的最佳占空比以及光栅层距量子阱的最优距离。采用传输矩阵模型对脊波导结构的光场分布进行了求解，分析了波导结构参数对于光场分布（光限制因子、远场发散角等）的影响。 2.创新性地引入InGaP刻蚀停止层的方法，有效改善了脊波导的形貌，制备了1060nm大功率DFB激光器。350mA电流注入下单纵模输出功率达到150mW，边模抑制比大于55dB。 3.通过增加GaAs光限制波导层厚度的优化设计，改善了垂直方向上的光场分布，使器件内部损耗降低至1 cm-1。采用此结构制作的1060大功率DFB激光器，在国内首次实现800mA注入电流下单纵模输出功率达300mW，边摸抑制比大于50dB。 4.采用大光腔设计制作了MOPA单片集成大功率器件，器件最高输出功率达到250mW，单纵模输出边模抑制比大于40dB，其远场发散角达到国际领先水平，分别为为6°（水平）和20°（垂直）。 5.通过波导型PPLN倍频晶体对制作的1060nm单模光源进行了初步倍频实验及特性分析，获得了5.7mW的绿光输出。