ZnO是一种宽禁带的新型II-VI化合物半导体材料,具有六角钎锌矿结构,同时它是一种独特的材料,具备光电、压电等性能。特别地,由于其禁带宽度大(3.37 eV),激子结合能高(60 meV),室温下具有高效的激子受激发光,所以,ZnO在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,如发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。要实现ZnO在光电领域的广泛应用,首先必须获得性能良好的n型和p型ZnO材料。但是由于缺陷的影响,ZnO的发光效率较低。尽管控制缺陷对于提高ZnO发光效率具有重要意义,但是缺陷相关的电子-空穴复合机制尚未明确。本文利用雾化气相沉积法制备了ZnO晶体薄膜,分析不同衬底温度及退火气氛对ZnO表面形貌及发光性能的影响,发现2.39 eV处绿光发光峰的起源与氧空位有着密切的关系。利用脉冲调制等离子体炉氢化处理ZnO薄膜,改变氢化时样品与等离子之间的距离,分析氢化处理对发光性能的影响。室温CL光谱表明,氢化处理能够提高紫外发光效率(3.27 eV),并且发光效率提高的幅度与氢化条件关系密切。当距离从90 mm减小至75 mm时,紫外发光及绿光发光强度均先增加后降低。低温下的CL测试发现,对ZnO样品氢化处理后,3.315 eV发光峰成为优势的发光带。研究表明,氢与本征缺陷能够形成浅施主络合物,提高了浅施主的浓度,对于提高紫外光发光效率有重要意义。论文第五章利用溶胶-凝胶法制备了Li掺杂ZnO多晶薄膜。样品保持了钎锌矿结构。室温CL测试表明,随Li掺杂浓度的增加,无辐射复合中心浓度增加,样品的发光效率降低。通过分析样品低温下的CL光谱,3.28及3.31 eV两处的发光峰归因于LiZn及LiZn-Lii受主束缚激子跃迁。Zn1-xLixO薄膜(0.08≤x≤0.12)具有室温铁电电滞回线,锂锌替代及锂相关络合物是导致Li掺杂ZnO薄膜具有铁电性的原因。